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薄膜襯底

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鋁酸鍶鑭(LaSrAlO4)晶體

薄膜襯底

 

主要性能參數(shù)
晶系
四方
生長(zhǎng)方法
提拉法
晶格常數(shù)
a=3.756Å   c=12.63 Å
熔點(diǎn)(℃)
1650
密度
5.92(g/cm3
硬度
6-6.5(mohs)
介電常數(shù)ε
~ 22
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Ф15,Ф20,Ф1″,Ф2″
厚度
0.5mm,1.0mm
拋光
單面或雙面
晶向
<001>  
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室