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薄膜襯底

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鋱鎵石榴石(TGG)

薄膜襯底

 鋱鎵石榴石( TGG)

     TGG單晶具有大的磁光常數(shù)、低的光損失、高熱導(dǎo)性和高激光損傷閾值, 廣泛應(yīng)用于YAG 、摻Ti藍(lán)寶石等多級放大、環(huán)型、種子注入激光器中。
    
TGG單晶是用于制作法拉第旋光器與隔離器的最佳磁光材料,適用波長400-1100nm(不包括470nm-500nm)。法拉第旋光器由TGG晶棒和一個特殊設(shè)計的磁體組成。穿過磁光材料的光束的偏振方向?qū)⒃诖艌鲎饔孟掳l(fā)生偏轉(zhuǎn),其偏轉(zhuǎn)方向只與磁場方向有關(guān),與光束傳播方向無關(guān)。光隔離器由一個45度偏轉(zhuǎn)的旋光器和一對適當(dāng)放置的偏振器組成, 它使光束僅能沿一個方向通過,而阻斷反向傳播的光束。

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    化學(xué)式:

    Tb3Ga5O12

    晶格常數(shù):

    立方,a=12.355Å

    生長方法:

    提拉法

    密度:

    7.13g/cm3

    莫氏硬度:

    8.0

    熔點(diǎn):

    1725℃

    折射率:

    1.954 @1064nm

    熱導(dǎo)率:

    9.4*10-6  /K

    維德爾常數(shù):

    0.12min/Oe.cm at 1064nm

    晶體標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格:

    加工指標(biāo):

     

    定向精度:

    111± 5 °

    波前畸變:

    <λ/8 wave total @633nm

    消光比:

    A:>30dBB:>28dB

                                               尺寸公差:

    直徑:

    ±0.1mm

    長度:

    ±0.05mm

    倒角:

    0.2mm at 45°

                                               其它參數(shù):

    平面度:

    <λ/10 wave at 633nm

    通光面平行度:

    <1 弧分

    垂直度:

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