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薄膜襯底

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硅(Si)

薄膜襯底

          主要性能參數

          晶體結構

          面心立方

          熔點(℃)

          1420

          密度

          2.4(g/cm3

          摻雜物質

          不參雜

          B

          P

          類 型

           NP

          P

          N

          電 阻 率

          >1000Ωcm

          10-3~40Ωcm

          102~104Ωcm

          E P D

          ≤100∕cm2

          ≤100∕cm2

          ≤100∕cm2

          氧含量(∕cm3

          ≤1~1.8×1018

          ≤1~1.8×1018

          ≤1~1.8×1018

          碳含量(∕cm3

          ≤5×1016

          ≤5×1016

          ≤5×1016

          尺寸

          10×10mm、15×15mm、Dia50.8mmDia76.2mmDia100mm

          可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的基片

          厚度

          0.3-0.5mm、1.0mm

          尺寸公差

          <±0.1mm

          厚度公差

          <±0.015mm特殊要求可達到<±0.005mm)

          拋光

          單面或雙面

          晶面定向精度

          ±0.5°

          邊緣定向精度

          LOGO

          合肥合瑞達光電材料有限公司面向科研院所及相關研究單位提供數十種高品質的單晶及薄膜基片,光學器件,激光晶體和陶瓷基片,以及包括陶瓷靶材、單晶靶材、金屬靶材和合金靶材的各種規格濺射靶材和鍍膜原料。同時為各大科研院所及企業提供光學材料的定向、切割、研磨、拋光和檢測服務。

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