InAs單晶基片
以 InAs 單晶為襯底可以生長 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等異質(zhì)結(jié)材料,制作波長 2～14μm的紅外發(fā)光器件，用 InAs單晶襯底還可以外延生長AlGaSb超晶格結(jié)構(gòu)材料 ,制作中紅外量子級聯(lián)激光器。.這些紅外器件在氣體監(jiān)測、低損耗光纖通信等領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景.此外, InAs 單晶具有很高的電子遷移率 ,是一種制作 Hall 器件的理想材料。作為單晶襯底 , InAs 材料需要具備低的位錯密度、 良好的晶格完整性、 合適的電學(xué)參數(shù)和較高的均勻性. InP單晶材料的主要生長方法是傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）。
晶體
結(jié)構(gòu)
晶向
熔點(diǎn)
oC
密度
g/cm3
禁帶寬度
InAs
立方,
a=6.058 A
<100>
942
5.66
0.45
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主要性能參數(shù) | |||||||
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單晶 |
摻雜 |
導(dǎo)電類型 |
載流子濃度
cm-3 |
遷移率(cm2/V.s) |
位錯密度(cm-2) |
標(biāo)準(zhǔn)基片 | |
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InAs |
本征 |
N |
5*1016 |
2*104 |
<5*104 |
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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InAs |
Sn |
N |
(5-20)*1017 |
>2000 |
<5*104 |
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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InAs |
Zn |
P |
(1-20) *1017 |
100-300 |
<5*104 |
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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InAs |
S |
N |
(1-10)*1017 |
>2000 |
<5*104 |
Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm | |
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尺寸（mm） |
Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底 | ||||||
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報(bào)告 | ||||||
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拋光 |
單面或雙面 | ||||||
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包裝 |
100級潔凈袋，1000級超凈室 | ||||||