主要性能參數(shù) | |||
生長方法 | 提拉法 | ||
晶體結構 | 立方 | ||
晶格常數(shù) | a=5.65754 Å | ||
密 度 | 5.323g/cm3 | ||
熔點 | 937.4℃ | ||
摻雜物質(zhì) | 不摻雜 | 摻Sb | 摻In或Ga |
類型 | / | N | P |
電阻率 | ＞35Ωcm | 0.05Ωcm | 0.05~0.1Ωcm |
EPD | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | ||
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm | |||
厚度 | 0.5mm，1.0mm | ||
拋光 | 單面或雙面 | ||
晶向 | <100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
晶面定向精度: | ±0.5° | ||
邊緣定向精度: | 2°（特殊要求可達1°以內(nèi)） | ||
斜切晶片 | 可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 | ||
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
包裝 | 100級潔凈袋，1000級超凈室 | ||