|
主要性能參數 | |||
|
生長方法 |
提拉法 | ||
|
晶體結構 |
立方 | ||
|
晶格常數 |
a=5.65754 Å | ||
|
密 度 |
5.323g/cm3 | ||
|
熔點 |
937.4℃ | ||
|
摻雜物質 |
不摻雜 |
摻Sb |
摻Ga |
|
類型 |
/ |
N |
P |
|
電阻率 |
＞35Ωcm |
0.01~10Ωcm |
0.01~10Ωcm |
|
EPD |
＜4×103∕cm2 |
＜4×103∕cm2 |
＜4×103∕cm2 |
|
尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | ||
|
Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客戶要求劃片 | |||
|
厚度 |
0.5mm，1.0mm | ||
|
拋光 |
單面或雙面 | ||
|
晶向 |
<100>、<110>、<111>、±0.5º | ||
|
晶面定向精度: |
±0.5° | ||
|
邊緣定向精度: |
2°（特殊要求可達1°以內） | ||
|
斜切晶片 |
可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 | ||
|
Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） | ||
|
包裝 |
100級潔凈袋，1000級超凈室 | ||