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主要性能參數(shù) | |||||||
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單晶 |
摻雜 |
導電類型 |
載流子濃度cm-3 |
位錯密度cm-2 |
生長方法 |
標準基片（mm） | |
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GaAs |
Si |
N |
>5×1017 |
<5×105 |
VGF(垂直梯度凝固法) HB(垂直布里奇曼法) |
Dia2″×0.35 Dia100×0.35 | |
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晶向 |
(100) 0°±0.5° | ||||||
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(100) 2°±0.5°off toward <111>A | ||||||
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(100)15°±0.5°off toward <111>A | ||||||
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尺寸（mm） |
25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm 可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底 | ||||||
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表面粗糙度 |
Surface roughness(Ra):<=5A | ||||||
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拋光 |
單面或雙面 | ||||||
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包裝 |
100級潔凈袋，1000級超凈室 | ||||||