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主要性能參數 | |
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生長方法 |
水熱法 |
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晶體結構 |
六方 |
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晶格常數 |
a=4.914Å c=5.405 Å |
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熔點（℃） |
1610℃（相轉變點：573.1℃） |
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密度 |
2.684g/cm3 |
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硬度 |
7（mohs） |
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熱熔 |
0.18cal/gm |
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熱導率 |
0.0033cal/cm℃ |
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熱電常數 |
1200uv/℃（300℃） |
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折射率 |
1.544 |
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熱膨脹系數 |
α11：13.71×106/ ℃ α33：7.48×106 /℃ |
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Q值 |
1.8×106 min |
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聲速、聲表級 |
3160（m/sec） |
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頻率常數 |
1661（kHz/mm） |
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壓電偶合 |
K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14 |
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晶向 |
Y、X或Z切，在30º~42.75 º ±5分范圍內旋轉任意值 主定位邊：根據客戶要求定方向±30分 次定位邊：根據客戶要求定方向 籽 晶：位于中心，寬度<5mm，高度>66mm |
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拋光面 |
外延拋光：單拋或雙拋Ra<10Å 工作區域：基片直徑-3mm 彎 曲 度：Φ3″<20um，Φ4″<30um 工作區域無崩邊，在邊緣，崩邊寬度<0.5mm 坑和劃痕：每片<3，每100片<20 |
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標準厚度 |
0.5mm±0.05mm TTV<5um |
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標準直徑 |
Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm 主定位邊：22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″) 次定位邊：10mm±1.5mm |