無(wú)摻雜YAG單晶,具有優(yōu)良光學(xué)和物化性能的重要晶體基質(zhì)材料,可以用于紫外和紅外廣血紅色光學(xué)設(shè)備，在1～3 μm內(nèi)無(wú)明顯吸收現(xiàn)象，巨頭光學(xué)均勻性好、透過(guò)率高、機(jī)械性能優(yōu)良、物理化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好等優(yōu)點(diǎn)。稀土和過(guò)渡金屬離子摻雜的YAG晶體廣泛應(yīng)用于激光、閃爍、全息記錄和光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、電離輻照劑量計(jì)及高溫超導(dǎo)薄膜襯底等領(lǐng)域。
主要性能參數(shù) | |
晶體結(jié)構(gòu) | 立方 |
晶格常數(shù) | a=12.01 ? |
密 度 | 4.56g/cm3 |
熔點(diǎn) | 1970℃ |
莫氏硬度 | 8～8.5 |
熱膨脹系數(shù) | 7.8×10-6/k @<111> |
熱導(dǎo)率 | 13.1w/mk (室溫) |
透過(guò)范圍 | 0.25～5 μm |
尺寸 （mm） | 10x10，15x15，20x15，20x20， |
Dia25.4, Dia50.8 | |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
拋光 | 單面或雙面 |
晶向 | <100>, <110> <111>, |
晶面定向精度: | ±0.5° |
邊緣定向精度: | 2°（特殊要求可達(dá)1°以內(nèi)） |
斜切晶片 | 可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: | ≤5?（5μm×5μm） |
包裝 | 100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室 |